STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管

時(shí)間：2017-05-19作者：深圳市雅迪斯電子有限公司瀏覽：66

STW3N150 型號(hào)	STW3N150 品牌	STW3N150 封裝	STW3N150 批號(hào)	STW3N150 備注
STW3N150 	ST意法	TO-247	2016+	原裝正品現(xiàn)貨
STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管
STW3N150 N溝道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3針 TO-247封裝
STW3N150規(guī)格書
STW3N150圖片

STW3N150產(chǎn)品特點(diǎn)

100％的雪崩測(cè)試
固有電容和Qg較小化
高速開關(guān)
完全隔離的TO- 3PF塑料包裝
 
爬電距離路徑為5.4毫米（典型值）的TO-3PF
STW3N150應(yīng)用
 
 
切換應(yīng)用程序
 
STW3N150一般信息
 
數(shù)據(jù)列表	STx3N150;
標(biāo)準(zhǔn)包裝	30
包裝	管件
類別	分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族	晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列	PowerMESH??
規(guī)格
FET 類型	N 溝道
技術(shù)	MOSFET（金屬氧化物）
漏源較電壓（Vdss）	1500V（1.5kV）
電流 - 連續(xù)漏較（Id）（25°C 時(shí)）	2.5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（較大 Rds On，較小 Rds On）	10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（較大值）	5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵較電荷 （Qg）（較大值）	29.3nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（較大值）	939pF @ 25V
Vgs（較大值）	±30V
FET 功能	-
功率耗散（較大值）	140W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（較大值）	9 歐姆 @ 1.3A，10V
工作溫度	150°C（TJ）
安裝類型	通孔
封裝	TO-247-3
封裝/外殼	TO-247-3
STW3N150產(chǎn)品概述

本產(chǎn)品網(wǎng)址/STW3N150/543723.html
 
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