HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管

時間：2016-12-28作者：深圳市雅迪斯電子有限公司瀏覽：49

HGTG5N120BND產(chǎn)品概述
HGTG5N120BND 基于非穿通（NPT）IGBT 設計。該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等，而低傳導損耗又至關重要的高壓開關應用，如：UPS、光伏逆變器、電機控制以及電源。
HGTG5N120BND產(chǎn)品特性
10A, 1200V, TC = 110°C
低飽和電壓：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A
典型下降時間。. . . . . . . . . . . . . . . TJ= 150°C時為175ns
短路額定值
低傳導損耗

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