FQB5N90/FAIRCHILD 仙童/N溝道增強型功率MOSFET

時間：2016-08-23作者：深圳市雅迪斯電子有限公司瀏覽：61

FQB5N90概述
該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。
這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，
并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。
 
FQB5N90特性
5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V,
ID = 2.7A柵極電荷低（典型值：31nC)
低 Crss（典型值13pF)
100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
符合 RoHS 標準

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